FDS4935
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS4935中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -7.00 A
漏源极电阻 23.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
输入电容 1.23 nF
栅电荷 15.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 1233pF @15VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS4935引脚图与封装图
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在线购买FDS4935
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS4935 | Fairchild 飞兆/仙童 | 双路30V P沟道PowerTrench MOSFET Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS4935
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS4935 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC P-Channel 30V 7A 23mohms 1.23nF | 当前型号 | 双路30V P沟道PowerTrench MOSFET Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDS4935BZ 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC P-Channel -30V -6.9A 18mohms 1.36nF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4935BZ. 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, SOIC | FDS4935和FDS4935BZ的区别 |
| 型号： FDS4935_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC P-CH 30V 7A | 功能相似 | Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET | FDS4935和FDS4935_NL的区别 |