TLV2772QDRG4Q1、TLV2772QDRQ1、TLV2772QDR对比区别

高亮显示差异参数

型号 TLV2772QDRG4Q1 TLV2772QDRQ1 TLV2772QDR

描述 家庭2.7 -V高转换率轨至轨输出运算放大器，带有关断 FAMILY OF 2.7-V HIGH-SLEW-RATE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN家庭2.7 -V高转换率轨至轨输出运算放大器，带有关断 FAMILY OF 2.7-V HIGH-SLEW-RATE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN家庭2.7 -V高转换率轨至轨输出运算放大器，带有关断 FAMILY OF 2.7-V HIGH-SLEW-RATE RAIL-TO-RAIL OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 1 mA 1 mA 1 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 5.10 MHz 5.10 MHz 5.10 MHz

转换速率 10.5 V/μs 10.5 V/μs 10.5 V/μs

增益频宽积 5.1 MHz 5.1 MHz 5.1 MHz

过温保护 - - No

输入补偿电压 360 µV 360 µV 360 µV

输入偏置电流 2 pA 2 pA 2 pA

耗散功率 725 mW - -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

增益带宽 5.1 MHz - -

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -

共模抑制比(Min) 60 dB 60 dB -

输出电流 - ≤50 mA -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.91 mm - -

高度 1.58 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead