VND5N07-1、VND5N07-1-E对比区别

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型号 VND5N07-1 VND5N07-1-E

描述 OMNIFET IIfully autoprotected功率MOSFET OMNIFET IIfully autoprotected Power MOSFETVND5N07 系列 18 V 5 A OMNIFET II 完全 自动保护 功率 MOSFET - IPAK

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 开关电源FET驱动器

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-251-3 TO-251-3

输出接口数 1 1

供电电流 0.25 mA 0.25 mA

漏源极电阻 200 mΩ -

耗散功率 60000 mW 60 W

漏源击穿电压 70.0 V -

连续漏极电流(Ids) 5.00 A -

输出电流(Max) 3.5 A 3.5 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 60000 mW 60000 mW

输出电流 - 7 A

输入电压(Max) - 18 V

输出电流(Min) - 5 A

输入数 - 1

输入电压 - 18 V

高度 6.2 mm -

封装 TO-251-3 TO-251-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - EAR99