VND5N07-1中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 1
供电电流 0.25 mA
漏源极电阻 200 mΩ
耗散功率 60000 mW
漏源击穿电压 70.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
输出电流Max 3.5 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 60000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
高度 6.2 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
VND5N07-1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买VND5N07-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VND5N07-1 | ST Microelectronics 意法半导体 | OMNIFET IIfully autoprotected功率MOSFET OMNIFET IIfully autoprotected Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号VND5N07-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VND5N07-1 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： | 当前型号 | OMNIFET IIfully autoprotected功率MOSFET OMNIFET IIfully autoprotected Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： VND5N07-1-E 品牌： 意法半导体 封装： IPAK | 类似代替 | VND5N07 系列 18 V 5 A OMNIFET II 完全 自动保护 功率 MOSFET - IPAK | VND5N07-1和VND5N07-1-E的区别 |