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TLC2272CDR、TLC272CDG4、TLC272BCDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC2272CDR TLC272CDG4 TLC272BCDR

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TLC2272CDR.  运算放大器, 双路, 2.18 MHz, 2个放大器, 3.6 V/µs, ± 2.2V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  TLC272BCDR  运算放大器, 双路, 1.7 MHz, 2个放大器, 3.6 V/µs, 3V 至 16V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤50 mA ≤30 mA ≤30 mA

供电电流 2.4 mA 1.9 mA 1.9 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 - 8

耗散功率 - 0.725 W 0.725 W

共模抑制比 70 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 1.80 µV/K 1.80 µV/K

带宽 2.18 MHz 1.70 MHz 1.7 MHz

转换速率 3.60 V/μs 3.60 V/μs 3.60 V/μs

增益频宽积 2.18 MHz 1.7 MHz 1.7 MHz

输入补偿电压 300 µV 1.1 mV 290 µV

输入偏置电流 1 pA 0.7 pA 0.7 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 2.25 MHz 2.2 MHz 1.7 MHz

耗散功率(Max) - 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 65 dB 65 dB

电源电压 - - 3V ~ 16V

过温保护 No - -

电源电压(Max) 8 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.91 mm - -

高度 1.58 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15