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CSD17307Q5A、CSD17313Q2、CSD17308Q3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD17307Q5A CSD17313Q2 CSD17308Q3

描述 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 6 8

封装 PowerTDFN-8 WSON-FET-6 VSON-Clip-8

漏源极电阻 0.0084 Ω 0.024 Ω 0.0094 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3 W 2.3 W 2.7 W

阈值电压 1.3 V 1.3 V 1.3 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 73.0 A 5.00 A 50A

上升时间 6.7 ns 3.9 ns 5.7 ns

输入电容(Ciss) 700pF @15V(Vds) 340pF @15V(Vds) 700pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 3 W 2.3 W 2.7 W

下降时间 2.6 ns 1.3 ns 2.3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3W (Ta) 2.3W (Ta) 2.7W (Ta)

通道数 - 1 1

针脚数 - 6 8

漏源击穿电压 - 30 V -

长度 5.8 mm 2 mm 3.4 mm

宽度 5 mm 2 mm 3.4 mm

高度 1.1 mm 0.8 mm 1.1 mm

封装 PowerTDFN-8 WSON-FET-6 VSON-Clip-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -