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BZT52H-B24,115、BZT52H-C24,115、BZT52H-B24对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT52H-B24,115 BZT52H-C24,115 BZT52H-B24

描述 SOD-123F 24V 830mWSOD-123F 24.2V 830mWZener Diode

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 2 -

封装 SOD-123F SOD-123F -

容差 ±2 % ±5 % -

正向电压 900mV @10mA 900mV @10mA -

耗散功率 830 mW 0.83 W -

测试电流 5 mA 5 mA -

稳压值 24 V 24 V -

正向电压(Max) 900mV @10mA 900mV @10mA -

额定功率(Max) 375 mW 375 mW -

耗散功率(Max) 830 mW - -

封装 SOD-123F SOD-123F -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

温度系数 20.2 mV/K 20.2 MV/K -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

香港进出口证 NLR - -