PD20010-E、PD20010TR-E对比区别

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型号 PD20010-E PD20010TR-E

描述 10W,13.6V,2GHz,射频LDMOS晶体管射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管晶体管

引脚数 3 3

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF

频率 2 GHz 2 GHz

额定电流 5 A -

针脚数 3 -

耗散功率 59 W 59 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

输出功率 10 W 10 W

增益 11 dB 11 dB

测试电流 150 mA 150 mA

输入电容(Ciss) 45pF @12.5V(Vds) 45pF @12.5V(Vds)

工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 59000 mW 59000 mW

额定电压 40 V 40 V

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -

工作温度 - -65℃ ~ 165℃