PD20010TR-E中文资料参数规格
技术参数
频率 2 GHz
耗散功率 59 W
漏源极电压Vds 40 V
输出功率 10 W
增益 11 dB
测试电流 150 mA
输入电容Ciss 45pF @12.5VVds
工作温度Max 165 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 59000 mW
额定电压 40 V
封装参数
引脚数 3
封装 PowerSO-10RF
外形尺寸
封装 PowerSO-10RF
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 165℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PD20010TR-E引脚图与封装图
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在线购买PD20010TR-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PD20010TR-E | ST Microelectronics 意法半导体 | 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF power tran LdmoST N-chann | 搜索库存 |
替代型号PD20010TR-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PD20010TR-E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： PowerSO-10RF 59000mW | 当前型号 | 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 RF power tran LdmoST N-chann | 当前型号 |
| 型号： PD20010-E 品牌： 意法半导体 封装： PowerSO-10RF 59000mW | 完全替代 | 10W,13.6V,2GHz,射频LDMOS晶体管 | PD20010TR-E和PD20010-E的区别 |