MMBTA06LT1G、MMBTA06LT3G、PMBTA06对比区别

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型号 MMBTA06LT1G MMBTA06LT3G PMBTA06

描述 NPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  MMBTA06LT3G  双极性晶体管, NPN, 80V SOT-23NXP  PMBTA06  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 250 mW, 500 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW 225 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

直流电流增益(hFE) 100 100 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

频率 100 MHz 100 MHz -

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V -

额定电流 500 mA 500 mA -

额定功率 225 mW - -

增益频宽积 100 MHz 100 MHz -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V -

额定功率(Max) 225 mW 225 mW -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

长度 2.9 mm 3.04 mm -

宽度 1.3 mm 2.64 mm -

高度 0.94 mm 1.11 mm -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -