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MJE2955T、MJE2955TG、MJE2955TTU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE2955T MJE2955TG MJE2955TTU

描述 STMICROELECTRONICS  MJE2955T  单晶体管 双极, PNP, 60 V, 2 MHz, 75 W, 10 A, 20 hFEON SEMICONDUCTOR  MJE2955TG  双极晶体管双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 2 MHz 2 MHz 2 MHz

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -10.0 A -10.0 A -10.0 A

极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 75 W 75 W 75 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 - 10A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) 70 - 100

额定功率(Max) 75 W 75 W 600 mW

直流电流增益(hFE) 20 2 20

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 75000 mW 75000 mW 600 mW

针脚数 3 3 -

增益频宽积 - 2 MHz -

热阻 - 1.67℃/W (RθJC) -

长度 10.4 mm 10.28 mm 10.1 mm

宽度 4.6 mm 4.83 mm 4.7 mm

高度 9.15 mm 9.28 mm 9.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99