FQD9N25TM、FQD9N25TM_F080对比区别

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型号 FQD9N25TM FQD9N25TM_F080

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD9N25TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.4 A, 250 V, 0.33 ohm, 10 V, 5 VMOSFET Trans MOS N-Ch 250V 7.4A 3Pin 2+Tab

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 250 V -

额定电流 7.40 A -

通道数 1 1

针脚数 3 -

漏源极电阻 0.33 Ω -

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 55 W 2.5 W

阈值电压 5 V -

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V

漏源击穿电压 250 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 7.40 A 7.4A

上升时间 105 ns -

输入电容(Ciss) 700pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W -

下降时间 45 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 55W (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc)

输入电容 - -

长度 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.1 mm

高度 2.3 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 -