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FQD9N25TM
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD9N25TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.4 A, 250 V, 0.33 ohm, 10 V, 5 V

The is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.

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100% Avalanche tested
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15.5nC Typical low gate charge
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15pF Typical low Crss
FQD9N25TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 7.40 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.33 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 55 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 7.40 A

上升时间 105 ns

输入电容Ciss 700pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 55W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQD9N25TM引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FQD9N25TM Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD9N25TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.4 A, 250 V, 0.33 ohm, 10 V, 5 V 搜索库存
替代型号FQD9N25TM
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FQD9N25TM

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 250V 7.4A 420mohms

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD9N25TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.4 A, 250 V, 0.33 ohm, 10 V, 5 V

当前型号

型号: FQD9N25TM_F080

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252-3 N-CH 250V 7.4A

类似代替

MOSFET Trans MOS N-Ch 250V 7.4A 3Pin 2+Tab

FQD9N25TM和FQD9N25TM_F080的区别

型号: FQD9N25TF

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 250V 7.4A 420mohms

类似代替

Trans MOSFET N-CH 250V 7.4A 3Pin2+Tab DPAK T/R

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