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1N6374RL4、MPTE-8G、1N6374G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6374RL4 MPTE-8G 1N6374G

描述 1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors1500瓦峰值功率Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 二极管

基础参数对比

封装 41A-04 41A-04 41A-04

安装方式 - - Through Hole

最大反向电压(Vrrm) 8V 8V 8V

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 - - 9.4 V

封装 41A-04 41A-04 41A-04

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

工作温度 - - -65℃ ~ 175℃ (TJ)