FDU8896、ISL9N306AD3、FDU8896_NL对比区别

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型号 FDU8896 ISL9N306AD3 FDU8896_NL

描述 N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFETN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET 30V ， 50A ， 6mз N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 6mзN沟道 30V 17A 94A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-251-3 TO-251 TO-251

漏源极电阻 5.70 mΩ 9.50 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 80W (Tc) 125 W -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 94.0 A 50.0 A 17A

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 94.0 A - -

输入电容 2.52 nF - -

栅电荷 46.0 nC - -

上升时间 106 ns - -

输入电容(Ciss) 2525pF @15V(Vds) - -

额定功率(Max) 80 W - -

耗散功率(Max) 80W (Tc) - -

封装 TO-251-3 TO-251 TO-251

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -