漏源极电阻 9.50 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
安装方式 Through Hole
封装 TO-251
封装 TO-251
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
ISL9N306AD3 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET 30V , 50A , 6mз N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 6mз | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: ISL9N306AD3 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-251 N-Channel 30V 50A 9.5mohms | 当前型号 | N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET 30V , 50A , 6mз N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 6mз | 当前型号 | |
型号: FDU8896_NL 品牌: 飞兆/仙童 封装: | 类似代替 | N沟道 30V 17A 94A | ISL9N306AD3和FDU8896_NL的区别 | |
型号: FDU8896 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-251 N-Channel 30V 94A 5.7mohms 2.52nF | 功能相似 | N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET | ISL9N306AD3和FDU8896的区别 | |
型号: FDU6682 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-251 N-CH 30V 75A | 功能相似 | 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | ISL9N306AD3和FDU6682的区别 |