SM8S30AHE3/2D、SM8S30AHE3/2E、SM8S30A-E3/2D对比区别

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型号 SM8S30AHE3/2D SM8S30AHE3/2E SM8S30A-E3/2D

描述 PAR® 瞬态电压抑制器表面安装单向 6600W，SM8A 和 SM8S 系列，Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器，Vishay SemiconductorDiode TVS Single Uni-Dir 30V 6.6kW 2Pin DO-218AB T/RESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 78-SM8S30AHE3_A/I

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DO-218AB DO-218AB DO-218AB-2

引脚数 2 - 2

击穿电压 - 33.3 V 33.3 V

耗散功率 - 6.6 kW -

钳位电压 48.4 V 48.4 V 48.4 V

脉冲峰值功率 6600 W 6600 W 6.6 kW

最小反向击穿电压 33.3 V 33.3 V 33.3 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

测试电流 5 mA - -

最大反向击穿电压 36.8 V - 36.8 V

工作电压 - - 30 V

封装 DO-218AB DO-218AB DO-218AB-2

长度 13.7 mm - -

宽度 8.7 mm - -

高度 5 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free