SM8S30A-E3/2D中文资料参数规格
技术参数
工作电压 30 V
击穿电压 33.3 V
钳位电压 48.4 V
最大反向击穿电压 36.8 V
脉冲峰值功率 6.6 kW
最小反向击穿电压 33.3 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-218AB-2
外形尺寸
封装 DO-218AB-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SM8S30A-E3/2D引脚图与封装图
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在线购买SM8S30A-E3/2D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SM8S30A-E3/2D | Vishay Semiconductor 威世 | ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 78-SM8S30AHE3_A/I | 搜索库存 |
替代型号SM8S30A-E3/2D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： SM8S30A-E3/2D 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-218AB | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 78-SM8S30AHE3_A/I | 当前型号 |
| 型号： SM8S30AHE3/2D 品牌： 威世 封装： DO-218AB | 功能相似 | PAR® 瞬态电压抑制器表面安装单向 6600W，SM8A 和 SM8S 系列，Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor | SM8S30A-E3/2D和SM8S30AHE3/2D的区别 |
| 型号： SM8S30AHE3/2E 品牌： 威世 封装： DO-218AB | 功能相似 | Diode TVS Single Uni-Dir 30V 6.6kW 2Pin DO-218AB T/R | SM8S30A-E3/2D和SM8S30AHE3/2E的区别 |