IXSH24N60U1、IXXH30N60B3D1对比区别

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型号 IXSH24N60U1 IXXH30N60B3D1

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 150000mW 3PinTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW Automotive 3Pin(3+Tab) TO-247AD

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-247-3 TO-247-3

耗散功率 - 270000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

反向恢复时间 50 ns 25 ns

额定功率(Max) 150 W 270 W

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 150 W 270000 mW

封装 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99