IXFK38N80Q2、IXFX38N80Q2、APT38F80B2对比区别

高亮显示差异参数

型号 IXFK38N80Q2 IXFX38N80Q2 APT38F80B2

描述 Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3Pin(3+Tab) TO-264AATrans MOSFET N-CH 800V 38A 3Pin(3+Tab) PLUS 247N沟道FREDFET N-Channel FREDFET

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-247-3

通道数 1 - 1

漏源极电阻 220 mΩ - 190 mΩ

耗散功率 735 W 735W (Tc) 1.04 kW

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

漏源击穿电压 800 V - 800 V

上升时间 16 ns 16 ns 65 ns

输入电容(Ciss) 8340pF @25V(Vds) 8340pF @25V(Vds) 8070pF @25V(Vds)

下降时间 12 ns 12 ns 60 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 735W (Tc) 735W (Tc) 1040W (Tc)

极性 - - N-CH

阈值电压 - - 2.5 V

连续漏极电流(Ids) - - 41A

额定功率(Max) - 735 W -

封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -