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KSH112、MJD112G、CJD112TR13对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH112 MJD112G CJD112TR13

描述 D- PAK表面贴装应用 D-PAK for Surface Mount ApplicationsNPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin,

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 DPAK TO-252-3 -

引脚数 - 3 -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V -

集电极最大允许电流 2A 2A -

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 2.00 A -

无卤素状态 - Halogen Free -

输出电压 - 100 V -

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 1.75 W -

热阻 - 71.4℃/W (RθJA) -

最小电流放大倍数(hFE) - 1000 -

最大电流放大倍数(hFE) - 12000 -

额定功率(Max) - 1.75 W -

直流电流增益(hFE) - 12000 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

增益带宽 - 25MHz (Min) -

耗散功率(Max) - 20 W -

输入电压 - 5 V -

封装 DPAK TO-252-3 -

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -