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OPA2365AQDRQ1、TSV912IDT、TSV992AIDT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 OPA2365AQDRQ1 TSV912IDT TSV992AIDT

描述 50 - MHz的低失真高CMRR轨至轨I / O,单电源运算放大器 50-MHz Low-Distortion High-CMRR Rail-to-Rail I/O, Single-Supply Operational AmplifierSTMICROELECTRONICS  TSV912IDT  运算放大器, 双路, 8 MHz, 2个放大器, 4.5 V/µs, 2.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚STMICROELECTRONICS  TSV992AIDT  运算放大器, 双路, 20 MHz, 2个放大器, 10 V/µs, 2.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 - 35 mA 35 mA

供电电流 4.6 mA 820 µA 820 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - 8 8

共模抑制比 100 dB 82 dB 82 dB

带宽 - 8 MHz 20 MHz

转换速率 25.0 V/μs 4.50 V/μs 10.0 V/μs

增益频宽积 50 MHz 8 MHz 20 MHz

输入补偿电压 100 µV 100 µV 1.5 mV

输入偏置电流 .2 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 50 MHz 8 MHz 20 MHz

共模抑制比(Min) 100 dB 62 dB 62 dB

电源电压 - 2.5V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 2.2 V 2.5 V 2.5 V

输入补偿漂移 1.00 µV/K - -

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.25 mm 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99