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BAT54H,115、BAT54HT1G、BAT54T1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAT54H,115 BAT54HT1G BAT54T1G

描述 NXP  BAT54H,115  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 400 mV, 600 mA, 125 °CON SEMICONDUCTOR  BAT54HT1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °CON SEMICONDUCTOR  BAT54T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 350 mV, 600 mA, 150 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 肖特基二极管肖特基二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-123F SOD-323-2 SOD-123

额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V

额定电流 - 200 mA 200 mA

电容 - 10.0 pF 10.0 pF

输出电流 - ≤200 mA ≤200 mA

针脚数 2 2 2

正向电压 800mV @100mA 0.8 V 800mV @100mA

极性 - Standard Standard

耗散功率 - 200 mW 400 mW

热阻 330℃/W (RθJA) 635℃/W (RθJA) 492 ℃/W

反向恢复时间 - 5 ns 5 ns

正向电流 200 mA 200 mA 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 600 mA 600 mA 600 mA

正向电压(Max) 400 mV 800 mV 350 mV

正向电流(Max) 200 mA 200 mA 200 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) - 150 ℃ 125 ℃

耗散功率(Max) - 200 mW 400 mW

工作结温 125℃ (Max) - -

无卤素状态 - Halogen Free -

最大反向击穿电压 - 30 V -

长度 - 1.8 mm 2.69 mm

宽度 - 1.35 mm 1.6 mm

高度 - 1 mm 1.12 mm

封装 SOD-123F SOD-323-2 SOD-123

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -