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SGS6N60UFDTU、SGS6N60UFTU、SGS23N60UFDTU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SGS6N60UFDTU SGS6N60UFTU SGS23N60UFDTU

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 22000mW 3Pin(3+Tab) TO-220F RailTrans IGBT Chip N-CH 600V 6A 22000mW 3Pin(3+Tab) TO-220F Rail高速开关 High speed switching

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 3.00 A 3.00 A 12.0 A

耗散功率 22 W 22000 mW 73 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 52 ns - 60 ns

额定功率(Max) 22 W 22 W 73 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 22000 mW 22000 mW 73000 mW

长度 10.16 mm - 10.16 mm

宽度 4.7 mm - 4.7 mm

高度 16.07 mm 16.07 mm 16.07 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99