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SGS6N60UFTU

SGS6N60UFTU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
SGS6N60UFTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 3.00 A

耗散功率 22000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 22 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 22000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 16.07 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SGS6N60UFTU引脚图与封装图
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在线购买SGS6N60UFTU
型号 制造商 描述 购买
SGS6N60UFTU Fairchild 飞兆/仙童 Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 22000mW 3Pin3+Tab TO-220F Rail 搜索库存
替代型号SGS6N60UFTU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SGS6N60UFTU

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-220-3 600V 3A 22000mW

当前型号

Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 22000mW 3Pin3+Tab TO-220F Rail

当前型号

型号: SGS23N60UFDTU

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-220F 600V 12A 73000mW

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型号: SGH15N60RUFTU

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-3P-3 600V 15A 160000mW

类似代替

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3Pin3+Tab TO-3P Rail

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