额定电压DC 600 V
额定电流 3.00 A
耗散功率 22000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 22 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 22000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
高度 16.07 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SGS6N60UFTU | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 22000mW 3Pin3+Tab TO-220F Rail | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SGS6N60UFTU 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-220-3 600V 3A 22000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 22000mW 3Pin3+Tab TO-220F Rail | 当前型号 | |
型号: SGS23N60UFDTU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-220F 600V 12A 73000mW | 类似代替 | 高速开关 High speed switching | SGS6N60UFTU和SGS23N60UFDTU的区别 | |
型号: SGH15N60RUFTU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-3P-3 600V 15A 160000mW | 类似代替 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3Pin3+Tab TO-3P Rail | SGS6N60UFTU和SGH15N60RUFTU的区别 |