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BZD27C100P-E3-08、BZD27C100P-E3-18对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZD27C100P-E3-08 BZD27C100P-E3-18

描述 Diode Zener Single 100V 5% 800mW 2Pin DO-219AB T/R稳压二极管 100 Volt 0.8 Watt 5%

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 -

封装 DO-219AB DO-219AB-2

击穿电压 100 V 100 V

正向电压 1.2V @200mA 1.2V @200mA

耗散功率 800 mW -

测试电流 5 mA -

稳压值 100 V 100 V

额定功率(Max) 800 mW 800 mW

工作温度(Max) 150 ℃ -

耗散功率(Max) 800 mW -

封装 DO-219AB DO-219AB-2

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -