BZD27C100P-E3-08中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 100 V
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 800 mW
测试电流 5 mA
稳压值 100 V
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-219AB
外形尺寸
封装 DO-219AB
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BZD27C100P-E3-08引脚图与封装图
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在线购买BZD27C100P-E3-08
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZD27C100P-E3-08 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Zener Single 100V 5% 800mW 2Pin DO-219AB T/R | 搜索库存 |
替代型号BZD27C100P-E3-08
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZD27C100P-E3-08 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-219AB 100V | 当前型号 | Diode Zener Single 100V 5% 800mW 2Pin DO-219AB T/R | 当前型号 |