ZXMP3A17DN8TA
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
ZXMP3A17DN8TA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -4.40 A
漏源极电阻 110 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.1 W
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 4.40 A
上升时间 2.87 ns
输入电容Ciss 630pF @15VVds
额定功率Max 1.8 W
下降时间 8.72 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ZXMP3A17DN8TA引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ZXMP3A17DN8TA | Diodes 美台 | ZXMP3A17 系列 30 V 0.07 Ohm 双 P 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8 | 搜索库存 |