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MUN5135T1G、PDTA123JT,215、MUN5135T1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5135T1G PDTA123JT,215 MUN5135T1

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorNXP  PDTA123JT,215  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 100 hFE偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-70-3 SOT-23-3 SC-70-3

额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

无卤素状态 Halogen Free - -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.31 W 250 mW 310 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 100 @10mA, 5V 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

额定功率(Max) 202 mW 250 mW 202 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 310 mW 250 mW 310 mW

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 100 -

宽度 1.24 mm - -

封装 SC-70-3 SOT-23-3 SC-70-3

高度 - 1 mm 0.85 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -