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DTC114TUAT106、DTC114YUAT106、BCR129WH6327XTSA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTC114TUAT106 DTC114YUAT106 BCR129WH6327XTSA1

描述 ROHM  DTC114TUAT106  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 10 mA, 250 hFEROHM  DTC114YUAT106  单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 68 hFEInfineon BCR129WH6327XTSA1 NPN 数字晶体管, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323-3

极性 N-Channel, NPN NPN NPN

耗散功率 0.2 W 200 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1mA, 5V 68 @5mA, 5V 120 @5mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 200 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

增益带宽 250 MHz 250 MHz 150 MHz

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW 250 mW

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

额定功率 0.2 W 0.2 W -

最大电流放大倍数(hFE) 600 - -

直流电流增益(hFE) - 68 -

长度 2.1 mm 2 mm 2 mm

宽度 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm

高度 0.9 mm 0.8 mm 0.8 mm

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - - EAR99