极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 120 @5mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 150 MHz
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BCR129WH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon BCR129WH6327XTSA1 NPN 数字晶体管, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SOT-323 SC-70封装 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BCR129WH6327XTSA1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SC-70 NPN 250mW | 当前型号 | Infineon BCR129WH6327XTSA1 NPN 数字晶体管, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SOT-323 SC-70封装 | 当前型号 | |
型号: DTC114TUAT106 品牌: 罗姆半导体 封装: SC-70 N-Channel 50V 100mA 0.2W | 功能相似 | ROHM DTC114TUAT106 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 10 mA, 250 hFE | BCR129WH6327XTSA1和DTC114TUAT106的区别 |