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1N6163、JAN1N6163、JANTXV1N6163对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6163 JAN1N6163 JANTXV1N6163

描述 双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 C C C

最大反向电压(Vrrm) 56V 56V 56V

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 - 67.74 V 67.74 V

封装 C C C

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Contains Lead