PDTA115ET、PDTA115ET,215、MMUN2141LT1G对比区别

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型号 PDTA115ET PDTA115ET,215 MMUN2141LT1G

描述 NXP  PDTA115ET  单晶体管 双极, BRT, PNP, 50 V, 250 mW, 100 mA, 80 hFENXP  PDTA115ET,215  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -20 mA, 80 hFESOT-23 PNP 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3 -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 250 mW 250 mW 0.4 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 20mA 20mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 80 @5mA, 5V 160 @5mA, 10V

直流电流增益(hFE) 80 80 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

无卤素状态 - - Halogen Free

额定功率(Max) - 250 mW 246 mW

耗散功率(Max) - 250 mW 400 mW

长度 3 mm - -

宽度 1.4 mm - -

高度 1 mm 1 mm -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -