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IRFS7434TRLPBF、IRFS7437TRLPBF、IRFS7434PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS7434TRLPBF IRFS7437TRLPBF IRFS7434PBF

描述 晶体管, MOSFET, StrongIRFET™, N沟道, 195 A, 40 V, 0.00125 ohm, 10 V, 3 V40V,1.8mΩ,250A,N沟道功率MOSFETINFINEON  IRFS7434PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.00125 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 - 230 W 294 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.00125 Ω 0.0014 Ω 0.00125 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 294 W 230 W 294 W

阈值电压 3 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 320A 250A 320A

上升时间 68 ns 70 ns 68 ns

输入电容(Ciss) 10820pF @25V(Vds) 7330pF @25V(Vds) 10820pF @25V(Vds)

下降时间 68 ns 53 ns 68 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 294W (Tc) 230W (Tc) 294W (Tc)

输入电容 10820 pF - -

长度 - 10.67 mm 10.67 mm

宽度 - 9.65 mm 9.65 mm

高度 - 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99