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IRFS7434PBF

IRFS7434PBF

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Infineon 英飞凌 分立器件

INFINEON  IRFS7434PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.00125 ohm, 10 V, 3 V

N 通道功率 MOSFET,40V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IRFS7434PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 294 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.00125 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 294 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 320A

上升时间 68 ns

输入电容Ciss 10820pF @25VVds

下降时间 68 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 294W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

制造应用 Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRFS7434PBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRFS7434PBF Infineon 英飞凌 INFINEON  IRFS7434PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.00125 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号IRFS7434PBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFS7434PBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 40V 320A

当前型号

INFINEON  IRFS7434PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.00125 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: IRFS7434TRLPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 40V 320A

完全替代

晶体管, MOSFET, StrongIRFET™, N沟道, 195 A, 40 V, 0.00125 ohm, 10 V, 3 V

IRFS7434PBF和IRFS7434TRLPBF的区别

型号: IRFS7437PBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 40V 250A

功能相似

INFINEON  IRFS7437PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 3 V

IRFS7434PBF和IRFS7437PBF的区别