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JANS2N918UB、JANTXV2N918UB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N918UB JANTXV2N918UB

描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, CERAMIC PACKAGE-3NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

封装 - SMD-3

引脚数 3 -

击穿电压(集电极-发射极) - 15 V

最小电流放大倍数(hFE) - 20 @3mA, 1V

额定功率(Max) - 200 mW

封装 - SMD-3

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk Pack

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 -

ECCN代码 EAR99 -