JANS2N918UB、JANTXV2N918UB对比区别
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, CERAMIC PACKAGE-3NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 --
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount
封装 - SMD-3
引脚数 3 -
击穿电压(集电极-发射极) - 15 V
最小电流放大倍数(hFE) - 20 @3mA, 1V
额定功率(Max) - 200 mW
封装 - SMD-3
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Bulk Pack
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 -
ECCN代码 EAR99 -