JANTXV2N918UB
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N918UB中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 20 @3mA, 1V
额定功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMD-3
外形尺寸
封装 SMD-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Pack
符合标准
RoHS标准
含铅标准
JANTXV2N918UB引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N918UB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N918UB | Microsemi 美高森美 | NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N918UB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N918UB 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： 2N918UB 品牌： 美高森美 封装： 3-SMD 200mW | 完全替代 | 硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR | JANTXV2N918UB和2N918UB的区别 |
| 型号： JANS2N918UB 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A IC, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, CERAMIC PACKAGE-3 | JANTXV2N918UB和JANS2N918UB的区别 |
