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PEMD18、PEMD18,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PEMD18 PEMD18,115

描述 SOT-666 NPN+PNP 50V 100mASOT-666 NPN+PNP 50V 100mA

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-666 SOT-666-6

引脚数 - 6

极性 NPN+PNP NPN+PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

通道数 - 2

耗散功率 - 300 mW

最小电流放大倍数(hFE) - 50 @10mA, 5V

额定功率(Max) - 300 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW

封装 SOT-666 SOT-666-6

宽度 - 1.3 mm

高度 - 0.6 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

工作温度 - -65℃ ~ 150℃