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PEMD18,115

PEMD18,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
PEMD18,115中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

极性 NPN+PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666-6

外形尺寸

宽度 1.3 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-666-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PEMD18,115引脚图与封装图
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在线购买PEMD18,115
型号 制造商 描述 购买
PEMD18,115 NXP 恩智浦 SOT-666 NPN+PNP 50V 100mA 搜索库存
替代型号PEMD18,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PEMD18,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-563 NPN PNP 300mW

当前型号

SOT-666 NPN+PNP 50V 100mA

当前型号

型号: PEMD18

品牌: 恩智浦

封装:

类似代替

SOT-666 NPN+PNP 50V 100mA

PEMD18,115和PEMD18的区别