IRF1010ZSPBF、STB60NF06LT4、STB60NF06T4对比区别

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型号 IRF1010ZSPBF STB60NF06LT4 STB60NF06T4

描述 N沟道 55V 75ASTMICROELECTRONICS  STB60NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 VN沟道60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK / I2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 75.0 A 60.0 A 60.0 A

通道数 1 1 -

漏源极电阻 7.5 mΩ 0.016 Ω 15.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 140 W 110 W 110 W

产品系列 IRF1010ZS - -

阈值电压 4 V 1 V -

输入电容 2.84 nF - -

栅电荷 95.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 55.0 V 60 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 60.0 A 60.0 A

输入电容(Ciss) 2840pF @25V(Vds) 2000pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 140 W 110 W 110 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

针脚数 - 3 -

栅源击穿电压 - ±15.0 V ±20.0 V

上升时间 - 220 ns 108 ns

下降时间 - 30 ns 20 ns

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 110W (Tc)

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99