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IRF7317TRPBF、IRF7509TR、IRF7317PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7317TRPBF IRF7509TR IRF7317PBF

描述 INFINEON  IRF7317TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mVMicro N+P 30V 2.7A/2AINTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7317PBF  双路场效应管, N/P通道, MOSFET, 20V, SOIC 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 TSSOP-8 SOIC-8

额定功率 2 W - -

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.023 Ω 170 mΩ 0.023 Ω

极性 N-Channel, P-Channel Dual N-Channel, Dual P-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W 1.25 W 2 W

阈值电压 700 mV - 700 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 6.6A/5.3A 2.00 A 6.60 A

正向电压(Max) 1 V - -

输入电容(Ciss) 900pF @15V(Vds) 210pF @25V(Vds) 900pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 1.25 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W - -

额定电流 - 2.70 A 6.60 A

产品系列 - IRF7509 IRF7317

上升时间 - 12.0 ns -

漏源击穿电压 - - 20.0 V

热阻 - - 62.5 K/W

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 TSSOP-8 SOIC-8

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

REACH SVHC标准 - - No SVHC