IRF7509TR
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
主动器件
IRF7509TR中文资料参数规格
技术参数
额定电流 2.70 A
漏源极电阻 170 mΩ
极性 Dual N-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 1.25 W
产品系列 IRF7509
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
上升时间 12.0 ns
输入电容Ciss 210pF @25VVds
额定功率Max 1.25 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSSOP-8
外形尺寸
封装 TSSOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF7509TR引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF7509TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7509TR 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 8-TSSOP Dual N-Channel 2.7A 1.25W | 当前型号 | Micro N+P 30V 2.7A/2A | 当前型号 |
| 型号： IRF7317TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： 8-SOIC N-Channel 20V 6.6A 5.3A | 功能相似 | INFINEON IRF7317TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mV | IRF7509TR和IRF7317TRPBF的区别 |
| 型号： IRF7105TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 25V 3.5A 2.3A | 功能相似 | INFINEON IRF7105TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.5 A, 25 V, 0.083 ohm, 10 V, 3 V | IRF7509TR和IRF7105TRPBF的区别 |
| 型号： IRF7509TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： µSOIC N-Channel 30V 2.7A 2A | 功能相似 | INFINEON IRF7509TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.7 A, 30 V, 110 mohm, 10 V, 1 V | IRF7509TR和IRF7509TRPBF的区别 |