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LT1009CDG4、LT1009CDR、LT1009CD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LT1009CDG4 LT1009CDR LT1009CD

描述 IC VREF SHUNT PREC 2.5V 8-SOICTEXAS INSTRUMENTS  LT1009CDR.  芯片, 并联电压基准, 2.5V, 10MV, 8-SOIC, 整卷TEXAS INSTRUMENTS  LT1009CD  电压基准, 精密, 分流 - 固定, LT1009系列, 2.5V, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

容差 - ±0.4 % ±0.4 %

输出电压 2.50 V 2.5 V 2.5 V

输出电流 - 10 mA 10 mA

通道数 - 1 1

针脚数 - 8 8

输出电压(Max) - 2.515 V 2.515 V

输出电压(Min) - 2.5 V 2.5 V

输出电流(Max) - 10 mA 10 mA

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

精度 - 0.2 % 0.2 %

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 - 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

温度系数 ±15.0 ppm/℃ ±25 ppm/℃ ±25 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Cut Tape (CT) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99