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DTA114EUAFRAT106、DTA114EUAT106、DTA114EKAT146对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA114EUAFRAT106 DTA114EUAT106 DTA114EKAT146

描述 ROHM  DTA114EUAFRAT106  晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323ROHM  DTA114EUAT106  单晶体管 双极, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFEROHM  DTA114EKAT146  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323 SOT-323-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - -50.0 V -50.0 V

额定电流 - -50.0 mA -50.0 mA

额定功率 - 0.2 W 0.2 W

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 0.2 W 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 30 -

额定功率(Max) - 200 mW 200 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 - 250 MHz 250 MHz

耗散功率(Max) - 200 mW 200 mW

长度 - 2 mm 2.9 mm

宽度 - 1.25 mm 1.6 mm

高度 - 0.8 mm 1.1 mm

封装 SOT-323 SOT-323-3 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not Recommended Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR