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70T3339S133BFGI、70T3339S133BFI8、70T633S12BFGI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70T3339S133BFGI 70T3339S133BFI8 70T633S12BFGI

描述 静态随机存取存储器 512K X 18 DP512K x 18 Sync, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O'sDual-Port SRAM, 512KX18, 12ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, GREEN, FPBGA-208

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 208 208 208

封装 CABGA-208 LFBGA-208 LFBGA-208

安装方式 - - Surface Mount

电源电压 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V

存取时间 4.2 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

长度 15 mm 15.0 mm 15.0 mm

宽度 15 mm 15.0 mm 15.0 mm

封装 CABGA-208 LFBGA-208 LFBGA-208

厚度 1.40 mm 1.40 mm 1.40 mm

高度 1.4 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free