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AUIRS2301STR、IRS2302SPBF、AUIRS2301S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRS2301STR IRS2302SPBF AUIRS2301S

描述 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3INFINEON  IRS2302SPBF  门驱动器, IGBT/MOSFET, 高压侧, 5V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 130ns, 50ns 130ns, 50ns 130ns, 50ns

输出接口数 2 2 2

针脚数 8 8 -

耗散功率 625 mW 625 mW 625 mW

静态电流 160 µA - -

上升时间 130 ns - 220 ns

下降时间 50 ns - 80 ns

下降时间(Max) 80 ns 80 ns 80 ns

上升时间(Max) 220 ns 220 ns 220 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

电源电压 5V ~ 20V 5V ~ 20V 5V ~ 20V

电源电压(Max) 20 V 20 V -

电源电压(Min) 5 V 5 V -

输出电流 - - 200 mA

电源电压(DC) - 5.00V (min) -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -