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AUIRS2301STR

AUIRS2301STR

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 主动器件

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

AUIRS2301S Series 20 V 350 mA Surface Mount High and Low Side Driver - SOIC-8


欧时:
Infineon AUIRS2301STR


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC


立创商城:
AUIRS2301STR


艾睿:
Driver 600V 0.35A 2-OUT High and Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.35A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Driver 600V 0.35A 2-OUT High and Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC N T/R


AUIRS2301STR中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 130ns, 50ns

输出接口数 2

针脚数 8

耗散功率 625 mW

静态电流 160 µA

上升时间 130 ns

下降时间 50 ns

下降时间Max 80 ns

上升时间Max 220 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 625 mW

电源电压 5V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 HVAC Compressor, PTC Heater, Oil Pump

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

AUIRS2301STR引脚图与封装图
AUIRS2301STR引脚图

AUIRS2301STR引脚图

AUIRS2301STR封装焊盘图

AUIRS2301STR封装焊盘图

在线购买AUIRS2301STR
型号 制造商 描述 购买
AUIRS2301STR Infineon 英飞凌 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 搜索库存
替代型号AUIRS2301STR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： AUIRS2301STR

品牌： Infineon 英飞凌

封装： REEL

当前型号

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

当前型号

型号： IRS2302SPBF

品牌： 英飞凌

封装： SOIC-8 5V

完全替代

INFINEON  IRS2302SPBF  门驱动器, IGBT/MOSFET, 高压侧, 5V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8

AUIRS2301STR和IRS2302SPBF的区别

型号： IRS2004SPBF

品牌： 英飞凌

封装： REEL

类似代替

INFINEON  IRS2004SPBF  双路芯片, IGBT/MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 600mA输出, 150ns延迟, SOIC-8

AUIRS2301STR和IRS2004SPBF的区别

型号： IRS2004STRPBF

品牌： 英飞凌

封装： REEL 10V 8Pin

类似代替

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟，用于两个通道 输出相位，带输入 无铅，符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon International Rectifier

AUIRS2301STR和IRS2004STRPBF的区别