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BUK7107-55AIE、BUK7107-55AIE,118对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK7107-55AIE BUK7107-55AIE,118

描述 N沟道TrenchPLUS标准水平FET N-channel TrenchPLUS standard level FETTrans MOSFET N-CH 55V 140A 5Pin(4+Tab) D2PAK T/R

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263 TO-263-5

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 272 W 272 W

耗散功率 - 272 W

上升时间 - 115 ns

下降时间 - 111 ns

耗散功率(Max) - 272W (Tc)

封装 TO-263 TO-263-5

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free