BUK7107-55AIE,118
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NXP
恩智浦
分立器件
BUK7107-55AIE,118中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 272 W
漏源极电压Vds 55 V
上升时间 115 ns
输入电容Ciss 4500pF @25VVds
额定功率Max 272 W
下降时间 111 ns
耗散功率Max 272W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-5
外形尺寸
封装 TO-263-5
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BUK7107-55AIE,118引脚图与封装图
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在线购买BUK7107-55AIE,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUK7107-55AIE,118 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 55V 140A 5Pin4+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
替代型号BUK7107-55AIE,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUK7107-55AIE,118 品牌： NXP 恩智浦 封装： D2PAK | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 55V 140A 5Pin4+Tab D2PAK T/R | 当前型号 |
| 型号： BUK7107-55AIE 品牌： 恩智浦 封装： | 类似代替 | N沟道TrenchPLUS标准水平FET N-channel TrenchPLUS standard level FET | BUK7107-55AIE,118和BUK7107-55AIE的区别 |