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AD744KR、AD744KR-REEL、OPA627AU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD744KR AD744KR-REEL OPA627AU

描述 精密, 500 ns建立BiFET运算放大器 Precision, 500 ns Settling BiFET Op Amp精密, 500 ns建立BiFET运算放大器 Precision, 500 ns Settling BiFET Op AmpJFET 输入运算放大器,OPA Difet 系列Texas Instruments 一系列高性能 Burr-Brown FET 输入运算放大器 这些设备具有一个利用电介隔离 FET (Difet®) 的输入级,可通过消除隔离接线泄漏显著降低输入偏置电流。 它们提供一个高速和高精密度的特殊组合,搭配超低输入电流。 典型的应用包括高精度仪器仪表、静电计和照片探测放大器、医疗设备和高精确度数据采集。### 运算放大器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

供电电流 3.5 mA - 7 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 0.5 W - 1000 mW

共模抑制比 74 dB - 100dB ~ 110dB

输入电容 5.50 pF - -

转换速率 75.0 V/μs 75.0 V/μs 55.0 V/μs

增益频宽积 13.0 MHz - 16 MHz

输入阻抗 3.00 TΩ - -

输入补偿电压 250 µV - 130 μV

输入偏置电流 30 pA - 2 pA

3dB带宽 13 MHz - -

电源电压(Max) 36 V - -

电源电压(Min) 9 V - -

电源电压(DC) - - 36.0 V

工作电压 - - 9V ~ 36V

输入补偿漂移 - - 400 nV/K

带宽 - - 16 MHz

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -25 ℃

增益带宽 - - 16 MHz

耗散功率(Max) - - 1000 mW

共模抑制比(Min) - - 100 dB

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.58 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ - -25℃ ~ 85℃

产品生命周期 End of Life Unknown Active

包装方式 Tube Tape, Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

军工级 Yes - -

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99